Tên đề tài:
Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing
Ngành:
Kỹ thuật điện, Khoa học vật liệu
Tóm tắt nội dung tài liệu:
Nghiên cứu này trình bày việc chế tạo các bộ dao phát laser chấm lượng tử InGaAs đa bước sóng bằng kỹ thuật intermixing cảm ứng cấy ion. Quá trình cấy proton và ủ nhiệt được áp dụng để tạo ra sự khuếch tán vi sai trong vùng hoạt động, dẫn đến thay đổi khoảng cách mức năng lượng trong các chấm lượng tử. Các đặc tính của bộ dao phát đa bước sóng, bao gồm phổ phát xạ, dòng ngưỡng và hiệu suất dốc, được so sánh với các thiết bị chưa qua xử lý. Kỹ thuật intermixing cảm ứng cấy ion được đánh giá là phương pháp hiệu quả để điều chỉnh khoảng cách năng lượng vùng cấm, hỗ trợ tích hợp thiết bị. Nghiên cứu tập trung làm rõ sự dịch chuyển khoảng cách năng lượng vùng cấm vi sai và ảnh hưởng của nó đến sự giam giữ hạt tải, khoảng cách mức năng lượng trong các chấm lượng tử, từ đó báo cáo về các bộ dao phát laser đa màu sắc và thảo luận về tác động đến hiệu suất thiết bị.