Giới thiệu
Luận án tập trung nghiên cứu về các bộ nhớ sắt điện (Ferroelectric Gate Transistor - FGT), một công nghệ đầy hứa hẹn cho thế hệ thiết bị điện tử tương lai. Với ưu điểm về tốc độ xử lý nhanh, khả năng lưu trữ dữ liệu không bị mất khi mất nguồn và dữ liệu không bị phá hủy khi đọc, FGT có tiềm năng thay thế các loại bộ nhớ hiện hành, góp phần thu nhỏ kích thước, giảm trọng lượng và tăng hiệu suất cho các thiết bị điện tử.
Mục tiêu nghiên cứu
- Nghiên cứu các mô hình lý thuyết giải thích tính chất của màng mỏng và nguyên lý hoạt động của bộ nhớ sắt điện.
- Tối ưu hóa quy trình chế tạo các màng mỏng sắt điện (BLT, PZT), màng mỏng điện cực (Pt, LNO) và màng mỏng kênh dẫn bằng phương pháp dung dịch.
- Khảo sát ảnh hưởng của các yếu tố như chiều dày, nhiệt độ ủ, phương pháp ủ đến tính chất của từng lớp màng.
- Nghiên cứu ảnh hưởng của các lớp màng điện cực, kênh dẫn và đế đến tính chất sắt điện của màng mỏng sắt điện.
- Chế tạo thử nghiệm và khảo sát hoạt động của bộ nhớ FGT với kênh dẫn kích thước micro và nano mét.
Ý nghĩa khoa học và đóng góp
Luận án đã thành công trong việc chế tạo các màng mỏng sắt điện, điện cực và kênh dẫn bằng phương pháp dung dịch, mang lại chất lượng màng tốt và độ lặp lại cao. Nghiên cứu đã chỉ ra ảnh hưởng của nhiệt độ ủ, chiều dày và các loại đế lên tính chất sắt điện của màng mỏng. Đặc biệt, luận án đã chế tạo thành công bộ nhớ FGT với kênh dẫn kích thước nano mét, mở ra hướng phát triển mới cho công nghệ bộ nhớ.
Cấu trúc luận án
Luận án bao gồm 4 chương, trình bày chi tiết về lý thuyết, phương pháp thực nghiệm, kết quả khảo sát và chế tạo bộ nhớ sắt điện.