Giới thiệu
Luận văn này tập trung nghiên cứu về Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và các phương pháp tiếp cận khi nghiên cứu vật liệu bán dẫn. Lý thuyết DFT, với những đóng góp đột phá của Pierre Hohenberg và Walter Kohn, đã trở thành một công cụ mạnh mẽ trong vật lý chất rắn, hóa học lượng tử, và khoa học vật liệu nhờ khả năng mô tả chính xác các tính chất của hệ điện tử chỉ dựa trên hàm mật độ.
Luận văn đi sâu vào hai chương chính:
- Chương 1: Cấu trúc tinh thể của bán dẫn, trình bày các khái niệm cơ bản về mạng tinh thể, đối xứng tinh thể, nhóm điểm, nhóm không gian (Fedorov), chỉ số Miller, định luật nhiễu xạ Vulf-Bragg, mạng đảo và vùng Brillouin. Chương này cung cấp nền tảng kiến thức về cấu trúc vật liệu, là tiền đề quan trọng để hiểu các phương pháp nghiên cứu sau này.
- Chương 2: Lý thuyết phiếm hàm mật độ và các cách tiếp cận khi nghiên cứu bán dẫn, giới thiệu chi tiết về lý thuyết DFT, bao gồm các phương trình Kohn-Sham, phép gần đúng mật độ địa phương, và các phương pháp tiếp cận cụ thể như sóng phẳng, giả thế siêu mềm, cách tiếp cận điện môi, và tính chất động lực học phân tử.
Mục đích của luận văn là tìm hiểu sâu về lý thuyết DFT và các kỹ thuật tính toán để áp dụng vào việc nghiên cứu các tính chất vi mô của vật liệu bán dẫn. Luận văn sử dụng phương pháp đọc và nghiên cứu tài liệu tham khảo, cùng với việc thống kê, lập luận và diễn giải để đạt được mục tiêu đề ra. Kết quả nghiên cứu giúp tác giả và người đọc có cái nhìn rõ ràng hơn về lý thuyết DFT và các ứng dụng của nó trong lĩnh vực bán dẫn.